To Νο1 Ηλεκτρονικό πολυκατάστημα
Αγορά χωρίς εγγραφή
Δωρεάν αποστολή για αγορές άνω των 90€
Για τηλεφωνικές παραγγελίες
211 500 0 500
Αρχική > Υπολογιστές > Εσωτερικοί σκληροί δίσκοι • SSD > SSD SAMSUNG MZ-V7S250BW 970 EVO PLUS 250GB V-NAND NVME PCIE GEN 3.0 X4 M.2 2280
 
 
 
   
 
ssd samsung mz v7s250bw 970 evo plus 250gb v nand nvme pcie gen 30 x4 m2 2280 photo

ssd samsung mz v7s250bw 970 evo plus 250gb v nand nvme pcie gen 30 x4 m2 2280 extra photo 1ssd samsung mz v7s250bw 970 evo plus 250gb v nand nvme pcie gen 30 x4 m2 2280 extra photo 2
ssd samsung mz v7s250bw 970 evo plus 250gb v nand nvme pcie gen 30 x4 m2 2280 photo


ssd samsung mz v7s250bw 970 evo plus 250gb v nand nvme pcie gen 30 x4 m2 2280 extra photo 1ssd samsung mz v7s250bw 970 evo plus 250gb v nand nvme pcie gen 30 x4 m2 2280 extra photo 2

SSD SAMSUNG MZ-V7S250BW 970 EVO PLUS 250GB V-NAND NVME PCIE GEN 3.0 X4 M.2 2280

PER.306240      
ΚατηγορίαΣΚΛΗΡΟΣ ΔΙΣΚΟΣ
SAMSUNG στην κατηγορία ΣΚΛΗΡΟΣ ΔΙΣΚΟΣ
ΥποκατηγορίαSOLID STATE
Δείτε περισσότερα στην Κεντρική σελίδα Σκληρών δίσκων
Δείτε όλα τα προιόντα του κατασκευαστή Samsung στο e-shop.gr
Διαθεσιμότητα: Αμεσα διαθέσιμο για online παραγγελία / Διαθεσιμότητα καταστημάτων Αθήνας - Θεσσαλονίκης
Χωρίς έξοδα αποστολής για παραλαβή από οποιοδήποτε eshop point!
56.99 €
Προτεινόμενη λιανική 69.90 €

Προσθήκη στη wishlist
Περιγραφή

Η απόλυτη απόδοση, αναβαθμισμένη. Πιο γρήγορος από τον 970 EVO, ο 970 EVO Plus τροφοδοτείται από την τελευταία τεχνολογία V-NAND και τη βελτιστοποίηση υλικολογισμικού. Μεγιστοποιεί το δυναμικό του εύρους ζώνης NVMe για ασυναγώνιστο υπολογισμό με χωρητικότητα μέχρι 2 TB, με αξιοπιστία μέχρι 1.200 TBW.

  • Διασύνδεση: PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3.
  • Χωρητικότητα: 250GB.
  • Μέγιστη ταχύτητα ανάγνωσης: Up to 3.500 MB/s.
  • Μέγιστη ταχύτητα εγγραφής: Up to 2.300 MB/s.
  • Τυχαία ταχύτητα ανάγνωσης: Random Read (4KB, QD32): Up to 250,000 IOPS Random Read, Random Read (4KB, QD1): Up to 17,000 IOPS Random Read.
  • Τυχαία ταχύτητα εγγραφής: Random Write (4KB, QD32): Up to 550,000 IOPS Random Write, Random Write (4KB, QD1): Up to 60,000 IOPS Random Write.
  • Ελεγκτής: Samsung Phoenix Controller.
  • Τύπος NAND: Samsung V-NAND 3-bit MLC.
  • Μνήμη Cache: Samsung 512MB Low Power DDR4 SDRAM.
  • AES encryption: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive).
  • Κατανάλωση ενέργειας: Average: 5.0 W, Maximum: 8 W (Burst mode).
  • Form factor: M.2 (2280).
  • Διαστάσεις (ΠxΒxΥ): 80.15 x 22.15 x 2.38 mm.
  • Βάρος: 8 g.
  • Εγγύηση: 5 χρόνια. DOA 7 ημερών

  • Βαθμολογία & Σχόλια προιόντος   (3 σχόλια)
    Βαθμολογία 10
    Σύνολο ψήφων: 3 Σχολιάστε και ψηφίστε
    Από χρήστη ΓΙΑΝΝΗΣ ΑΛΜΑΛΗΣ - Βαθμολογία 10 στις 19-01-2022
    απλα τέλειο
    Από χρήστη ΔΗΜΗΤΡΙΟΣ ΑΝΤΩΝΙΟΥ - Βαθμολογία 10 στις 04-03-2020
    Ίπταται. Υπέροχος. Αρκεί να βγάλει 3-4+ χρόνια.
    Από χρήστη ΕΥΑΓΓΕΛΟΣ ΚΟΚΟΣΗΣ - Βαθμολογία 10 στις 03-04-2019
    Πολύ καλός, παει σφαιρα...

    Αναζήτηση στην κατηγορία ΣΚΛΗΡΟΣ ΔΙΣΚΟΣ

    Last viewed
    SSD SAMSUNG MZ-V7S250BW 970 EVO PLUS 250GB V-NAND NVME PCIE GEN 3.0 X4 M.2 2280 (PER.306240)
    ssd samsung mz v7s250bw 970 evo plus 250gb v nand nvme pcie gen 30 x4 m2 2280 photo
    ssd samsung mz v7s250bw 970 evo plus 250gb v nand nvme pcie gen 30 x4 m2 2280 extra photo 1ssd samsung mz v7s250bw 970 evo plus 250gb v nand nvme pcie gen 30 x4 m2 2280 extra photo 2
    Αμεσα διαθέσιμο για online παραγγελία
    Διαθεσιμότητα καταστημάτων Αθήνας - Θεσσαλονίκης
    Wishlist
    Share
    56.99 €
    Προτεινόμενη λιανική 69.90 €
    Περιγραφή
    Αξιολόγηση
    Σχετικά
    Κατηγορία: ΣΚΛΗΡΟΣ ΔΙΣΚΟΣ
    SAMSUNG στην κατηγορία ΣΚΛΗΡΟΣ ΔΙΣΚΟΣ

    Η απόλυτη απόδοση, αναβαθμισμένη. Πιο γρήγορος από τον 970 EVO, ο 970 EVO Plus τροφοδοτείται από την τελευταία τεχνολογία V-NAND και τη βελτιστοποίηση υλικολογισμικού. Μεγιστοποιεί το δυναμικό του εύρους ζώνης NVMe για ασυναγώνιστο υπολογισμό με χωρητικότητα μέχρι 2 TB, με αξιοπιστία μέχρι 1.200 TBW.


    Διασύνδεση: PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3.
    Χωρητικότητα: 250GB.
    Μέγιστη ταχύτητα ανάγνωσης: Up to 3.500 MB/s.
    Μέγιστη ταχύτητα εγγραφής: Up to 2.300 MB/s.
    Τυχαία ταχύτητα ανάγνωσης: Random Read (4KB, QD32): Up to 250, 000 IOPS Random Read, Random Read (4KB, QD1): Up to 17, 000 IOPS Random Read.
    Τυχαία ταχύτητα εγγραφής: Random Write (4KB, QD32): Up to 550, 000 IOPS Random Write, Random Write (4KB, QD1): Up to 60, 000 IOPS Random Write.
    Ελεγκτής: Samsung Phoenix Controller.
    Τύπος NAND: Samsung V-NAND 3-bit MLC.
    Μνήμη Cache: Samsung 512MB Low Power DDR4 SDRAM.
    AES encryption: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive).
    Κατανάλωση ενέργειας: Average: 5.0 W, Maximum: 8 W (Burst mode).
    Form factor: M.2 (2280).
    Διαστάσεις (ΠxΒxΥ): 80.15 x 22.15 x 2.38 mm.
    Βάρος: 8 g.
    Εγγύηση: 5 χρόνια. DOA 7 ημερών
    10/10 από 3 χρήστες
    Από χρήστη ΓΙΑΝΝΗΣ ΑΛΜΑΛΗΣ - Βαθμολογία 10 - 19-01-2022
    απλα τέλειο
    Από χρήστη ΔΗΜΗΤΡΙΟΣ ΑΝΤΩΝΙΟΥ - Βαθμολογία 10 - 04-03-2020
    Ίπταται. Υπέροχος. Αρκεί να βγάλει 3-4+ χρόνια.
    Από χρήστη ΕΥΑΓΓΕΛΟΣ ΚΟΚΟΣΗΣ - Βαθμολογία 10 - 03-04-2019
    Πολύ καλός, παει σφαιρα...
    Βαθμολογία    
    email    
    Σχόλιο (Τα σχόλια σε greeklish δεν θα γίνονται δεκτά)
    Με την αποστολή αποδέχεστε τους Όρους και Προυποθέσεις χρήσης καθώς και τους όρους περί προστασίας προσωπικών δεδομένων όπως αναγράφονται στο site.
    SSD SAMSUNG MZ-V7S250BW 970 EVO PLUS 250GB V-NAND NVME PCIE GEN 3.0 X4 M.2 2280 PER.306240 PER.306240 SAMSUNG SAMSUNG ΣΚΛΗΡΟΣ ΔΙΣΚΟΣ Κατηγορία: ΣΚΛΗΡΟΣ ΔΙΣΚΟΣ •SAMSUNG στην κατηγορία ΣΚΛΗΡΟΣ ΔΙΣΚΟΣ Η απόλυτη απόδοση, αναβαθμισμένη. Πιο γρήγορος από τον 970 EVO, ο 970 EVO Plus τροφοδοτείται από την τελευταία τεχνολογία V-NAND και τη βελτιστοποίηση υλικολογισμικού. Μεγιστοποιεί το δυναμικό του εύρους ζώνης NVMe για ασυναγώνιστο υπολογισμό με χωρητικότητα μέχρι 2 TB, με αξιοπιστία μέχρι 1.200 TBW. • Διασύνδεση: PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3.• Χωρητικότητα: 250GB.• Μέγιστη ταχύτητα ανάγνωσης: Up to 3.500 MB/s.• Μέγιστη ταχύτητα εγγραφής: Up to 2.300 MB/s.• Τυχαία ταχύτητα ανάγνωσης: Random Read (4KB, QD32): Up to 250, 000 IOPS Random Read, Random Read (4KB, QD1): Up to 17, 000 IOPS Random Read.• Τυχαία ταχύτητα εγγραφής: Random Write (4KB, QD32): Up to 550, 000 IOPS Random Write, Random Write (4KB, QD1): Up to 60, 000 IOPS Random Write.• Ελεγκτής: Samsung Phoenix Controller.• Τύπος NAND: Samsung V-NAND 3-bit MLC.• Μνήμη Cache: Samsung 512MB Low Power DDR4 SDRAM.• AES encryption: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive).• Κατανάλωση ενέργειας: Average: 5.0 W, Maximum: 8 W (Burst mode).• Form factor: M.2 (2280).• Διαστάσεις (ΠxΒxΥ): 80.15 x 22.15 x 2.38 mm.• Βάρος: 8 g.• Εγγύηση: 5 χρόνια. DOA 7 ημερών
    56.99
    10 3 3

    x
    Υπολογιστές
    Ήχος - Εικόνα
    Τηλεπικοινωνίες
    Λευκές συσκευές
    Ηλεκτρικές συσκευές
    Εργαλεία
    Οργανα γυμναστικής
    Outdoor
    Μουσικά όργανα
    Security
    Ηλεκτρονικά παιχνίδια
    Gadgets & Παιχνίδια
    Είδη γραφείου
    Βιβλία
    Ταινίες DVD - Blu Ray
    Προσωπική φροντίδα
    Ενδυση - Υπόδηση
    Αθλητικά είδη
    Βρεφικά - Παιδικά
        Stockhouse     Crazysundays     Eshop specials     Zen 10
    Η ιστοσελίδα χρησιμοποιεί cookies για την ευκολία της περιήγησης, την εξατομίκευση περιεχομένου και διαφημίσεων και την ανάλυση της επισκεψιμότητάς μας. Δείτε τους ανανεωμένους όρους χρήσης για την προστασία δεδομένων και τα cookies.
    Πληροφορίες Ρυθμίσεις Απόρριψη Αποδοχή